化學(xué)氣相淀積方法是半導(dǎo)體研究界和產(chǎn)業(yè)界中應(yīng)用最為廣泛的用于制備薄膜材 料的常用方法之一，可制備的薄膜材料包括大多數(shù)半導(dǎo)體薄膜、介質(zhì)薄膜、金屬及合 金薄膜。
隨著半導(dǎo)體器件性能的提高，對于材料的質(zhì)量要求也隨之提高。

對于CVD材料 生長設(shè)備來說，要獲得高質(zhì)量的材料，首先必須保證作為反應(yīng)物的氣源由源區(qū)至反應(yīng) 區(qū)的輸運及控制過程中的純度，即保證整個配氣氣路的氣密性。目前，CVD材料生 長設(shè)備的配氣氣路一般采用卡套式管接頭或VCR接頭來實現(xiàn)輸氣管道、控制元件之 間的密封連接。

VCR接頭氣密性比較好，安裝拆卸方便，但價格較貴。為降低實驗及生產(chǎn)成本， 常采用卡套式管接頭實現(xiàn)氣路的密封連接?？ㄌ资焦芙宇^具有結(jié)構(gòu)簡單、重量輕、體 積小、使用方便、不用焊接，而且具有良好的耐壓性、耐振動性、耐熱性及可靠的密 封性，價格遠低于VCR接頭。

采用卡套式管接頭進行氣路連接，成本較低的同時又 能保證連接處的氣密性，但安裝時就必須從整個氣路的一端開始逐個安裝到另一端， 固定一端接頭體后插入長度合適的金屬管并固定卡套，再安裝另一端的卡套及接頭體 并固定接頭體和卡套；需要修理或拆卸時也必須從整個氣路的某一端丌始拆卸到需要 檢修或替換的部件為止。

這就給配氣裝置的氣路維護帶來了很大的不便，尤其是當(dāng)氣 路中的某一個控制元件需要替換時，就必須從氣路的一端開始到需要替換的部件為 止，將其間的氣路管道和控制元件全部依次拆卸。

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